دانلود پاورپوینت, پاورپوینت طرح توجیهی, مقاله
دانلود پاورپوینت, پاورپوینت طرح توجیهی, مقاله, پیشینه تحقیق, مبانی نظری, طرح توجیهی, پرسشنامه مدیریتی, پرسشنامه روانشناسیدانلود پاورپوینت, پاورپوینت طرح توجیهی, مقاله
دانلود پاورپوینت, پاورپوینت طرح توجیهی, مقاله, پیشینه تحقیق, مبانی نظری, طرح توجیهی, پرسشنامه مدیریتی, پرسشنامه روانشناسیتحقیق جمعیت و تنظیم خانواده ( ورد)
تحقیق جمعیت و تنظیم خانواده ( ورد)
فرمت فایل دانلودی: .zipفرمت فایل اصلی: .docx
تعداد صفحات: 23
حجم فایل: 31 کیلوبایت
قیمت: 8500 تومان
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : word (..docx) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 23 صفحه
قسمتی از متن word (..docx) :
1
مقدمه :
در عصر کنونى که عصر الکترونیک و تحولات صنعتى نام دارد، به اقتضاى پیشرفت تکنولوژیکى میل به ارتقاء «کیفیت» زندگى مستمر مورد تأکید قرار مى گیرد اما باید دانست که بدون اتکا به کار و بازدهى حداکثر نمى توان متوقع سهمى بیش از شایستگى و بضاعت واقعى بود و پرسش اساسى که وجود دارد، این است که چگونه مى توان به رشد جمعیت با عنایت به عوامل توسعه، آهنگى موزون و منطقى بخشید. بدیهى است که در این مورد بیش از هر چیز بایستى به شرایط فرهنگى و اقتصادى هر جامعه توجه نمود و شتاب رشد جمعیت در منطقه از جهان یکسان نیست. بنابراین هر کشورى باید با توجه به موقعیت اجتماعى و اقتصادى و فرهنگى خویش داراى یک سیاست جمعیتى باشد که با ایجاد هماهنگى کامل بین عوامل توسعه و تغییرات جمعیت تأمین عدالت اجتماعى را در جامعه میسر سازد. مشکلات رشد سریع جمعیت که عمدتاً مشکل کشور هاى در حال توسعه بوده و بخصوص در کشور ما به صورت حاد وجود دارد، اولین مانع تحقق پیشرفت مى باشد و این پدیده نه تنها براى کشور ما، بلکه تمام کشور هاى در حال توسعه را گرفتار کرده است.
2
به طور مستقیم این کشور ها اگر بتوانند تنها غذاى این جمعیت عظیم را تأمین کنند بزرگترین هنر را انجام داده اند و سایر نیاز هاى آن ها از قبیل آموزش، بهداشت، مسکن، کار و امثال آن ها خود به خود در مراحل کم اهمیت تر قرار مى گیرند. کشورى که داراى امکانات و استعداد هاى بالقوه است و جمعیت ان از حد طبیعى فزونى یابد با مشکلات فراوان اقتصادى روبرو خواهد شد و در نتیجه استقلال واقعى آن کشور با خطر مواجه مى گردد. بنابراین مسئله جمعیت در ارتباط با تمامى جوانب توسعه اقتصادى، اجتماعى، فرهنگى، علمى و سیاسى است باید به طور مستمر پیگیرى شود.
افزایش بى رویه جمعیت در کشور هاى جهان سوم
این افزایش در کشور هاى جهان سوم معلول عواملى بوده است که به طور مستقیم یا غیر مستقیم از سوى قدرت هاى سلطه گر جهان به این کشور ها تحمیل شده است این عوامل که مهمترین آن ها کاهش درآمد ملى این کشور به خاطر سلطه سیاست هاى سلطه گرانه، قدرت هاى اقتصادى جهان و در نتیجه پایین آمدن سطح زندگى در آن ها است با عوامل دیگرى از قبیل کاهش مرگ و میر کودکان، مهاجرت و امثال آن ها در هم مى آمیزد و روند رشد جمعیت را در این کشور ها
3
افزایش مى دهد. بدیهى است افزایش بى کارى و بى سوادى مخصوصاً در میان زنان این کشور ها که با پایین آمدن سطح زندگى ارتباط تنگاتنگ دارد در تشدید رشد جمعیت در این کشور ها بسیار مؤثر بوده است.
عوامل متعدد در رشد بى رویه جمعیت
1. کاهش میزان مرگ و میر کودکان زیر یک سال
2. مهاجرت هاى درون کشورى.
3. بى سوادى و بى کارى مادران.
شتاب رشد جمعیت
رشد جمعیت در کشور ما از یک شتاب فزاینده برخوردار بوده است. این شتاب را مى توان به خوبى در آمار ها مشاهده کرد. طبق آمار هاى اعلام شده جمعیت کشورمان در 35 سال اخیر 3 برابر شده است و با روند کنونى رشد جمعیت در 25 سال آینده میزان آن به 120 میلیون نفر خواهد رسید. سلامت و بهداشت فرد و جامعه تحت تأثیر خصوصیات جمعیتى است که فرد جزئى از آن بوده و یا جامعه ى ساخته شده از آن
4
است. اگر چه افزایش سطح بهداشت و خدمات درمانى در کشور هاى در حال پیشرفت میزان مرگ و میر را به طور واضح کاهش داده است و لیکن کیفیت بهداشت شخصى و اجتماعى در این کشور ها به علت کثرت جمعیت در سطح بسیار پایین است افزایش جمعیت در این کشور ها موجب شده است که با وجود پایین بودن سطح بهداشت، حفظ آن در همان سطح پایین مشکل باشد. چرا که هزینه تهیه ى خدمات مورد نیاز اغلب از عهده این کشور ها خارج است. افزایش جمعیت، اختلاف عرضه و تقاضاى خدمات بهداشتى را بیشتر کرده، نهایتاً کیفیت و حتى در مواردى کمیت خدمات را پایین مى آورد، بنابراین جمعیت از جمله فاکتور هایى است که کم و کیف خدمات بهداشتى درمانى را تحت تأثیر قرار مى دهد.
جمعیت فعال مولد:
اگر میزان جمعیت را به تنهایى و بدون شرایط اقتصادى، اجتماعى، فرهنگى چون میزان بى سوادى سطح بهداشت و سلامتى، مسکن و اشتغال و تولید در نظر بگیریم این جمعیت زیاد مى تواند باعث ضعف و عقب ماندگى یک ملت باشد ولى اگر جمعیت مولد باسواد و با اقتصاد و صاحب علم و تکنیک باشد مى تواند موجب اقتدار ملى شود.
پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.
تحقیق جمع کنندههای SET 38 ص ( ورد)
تحقیق جمع کنندههای SET 38 ص ( ورد)
فرمت فایل دانلودی: .zipفرمت فایل اصلی: .doc
تعداد صفحات: 31
حجم فایل: 47 کیلوبایت
قیمت: 8500 تومان
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 31 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
2
جمع کنندههای SET:
در این قسمت چند جمع کننده SET ارائه میگردد و این جمع کنندهها از نظر فاکتورهایی چون تاخیر و توان مصرفی با یکدیگر مقایسه خواهند شد. در نهایت یک جمع کننده دیگر که با استفاده از SET خازنی طراحی شده نیز ارائه خواهد شد.
تکنولوژی SET را میتوان با استفاده از در مزیت بارز آن یعنی خاصیت فشردهسازی فوقالعاده زیاد آن و توان مصرفی بسیار کم از دیگر تکنولوژیها متمایز کرد. یکی از مواردی که در مطالعات مربوط به SET مورد توجه میباشد طراحی جمعکنندههای SET میباشد که در نهایت طراحیهای متفاوتی برای جمع کنندهها پیشنهاد میشود. این تفاوتها از نظر چگونگی عملکرد تعداد عناصر پایه میباشند.
در سال Iwamura, 1996 یک جمع کننده SET را با استفاده از تابع اکثریت معرفی کرد. این تابع اکثریت براساس معکوس کننده SET که توسط Tucker پیشنهاد شده است عمل میکند. جمعکننده مذکور شامل سه گیت اکثریت دو معکوس کننده میباشد شکل (1-a) رقم نقلی C0 توسط یکی از گیتهای اکثریت و یکی از معکوس کنندهها تولید میشود. حاصل جمع S نیز از ترکیب بقیه گیتها حاصل میشود. گیت اکثریت شامل یک آرایه از خازنهای ورودی است و به دنبال آن یک معکوس کننده برای آستانهسازی.
بعداً این ساختار توسط oya با استفاده از SEB به جای معکوس کننده پیشنهاد شد که با سه سیگنال کنترلی Q1,Q2,Q3 عمل میکرد. هسته اصلی این طراحی شامل سه گیت اکثریت میباشد و چهار گیت دیگر به عنوان تاخیرکننده یا بازهای fan-out عمل میکنند. با استفاده از این طرح تعداد اتصالات Tonneling و تعداد خازنها کم خواهد شد. در شکل (1-b) یک گیت اکثریت سه ورودی بر مبنای SEB در اتصالی ساخته شده است.
برای استفاده از این ابزار به عنوان یک گیت اکثریت، Q یک پالس ساعت پلهای خواهد بود که در ابتدا یک ولتاژ تحریک (60mv) را اعمال خواهد کرد و بعد از آن یک ولتاژ نگهدارنده
2
(40mv) را اعمال میکند. از یک ساعت سه فاز نیز برای کنترل جهت انتشار سیگنال استفاده میشود. در این طراحی تا قید رقم نقلی I/3 یک دوره ساعت و تاخیر حاصل جمع یک دوره ساعت خواهد بود.
طرح بعدی براساس منطق ترانزیستورهای گذار است (1-C). این سیستم شامل در زیر سیستم است که هر کدام شامل یک گیت XOR دو ورودی است که با SET ساخته شده است. SET زمانی روشن است که یکی از ورودیها high باشد و خاموش است اگر هر دو ورودی high یا low باشد. مدار سمت چپ پیادهسازی که (a+b).ci است و مدار سمت راست (a+b)’.ci است و نتیجه در نهایت a+b+c خواهد بود. در این مدار، تولید رقم نقلی پیچیدهتر از دو مدار قبلی است.
طرح چهارم براساس گیتهای منطق آستانه میباشد که از اتصالات تک الکترونی استفاده میشود. این طرح توسط cotofana و vassiliadis در سال 2002 پیشنهاد شده است. طراحی مذکور شامل دو گیت منطق آستانه است که هرکدام یک بافر نیز دارند. حاصلجمع با استفاده از TLG با اوزان (1,1,1,-2) و رقم نقلی خروجی با استفاده از یک گیت اکثریت بدست خواهد آمد. مزیت اصلی این طرح امکان انتقال یک الکترون از طریق اتصال و توانایی پیادهسازی ارزان منفی میباشد. عیب اصلی آن نیز استفاده از بافر برای هر TLG به منظور جلوگیری از اثر دوطرفه میباشد.
یک طرح جدید دیگر تیز ارائه میشود که شباهت زیادی به maj-set دارد. این طرح سه گیت اکثریت و دو معکوس کننده را به دو TLG کاهش میدهد. پیادهسازی TLG شبیه به Maj است با این تفاوت که تعداد خازنها در TLG چهار عدد خواهد بود.
بعد از انجام شبیهسازی با پارامترهای مربوط به هرکدام جمع کنندهها و در دمای T=0K و سیگنالهای Ci=0، b=1 و a بین (1,0) که این سویچینگ هر 10ns اتفاق میافتند، نتایج به ترتیب زیر بدست آمده است.
شکل خروجی S برای همه جمعکنندهها در زیر نشان داده شده است، با مطالعه این نمودارها دو نکته قابل تشخیص است.
4
1ـ خروجی Maj-SEB نامنظم است و به صورت دو پلهای خواهد بود که به دلیل دوپلهای بودن سایت است که برای کنترل FA استفاده میشود.
2ـ خروجی PTL-FA نسبت به ورودی آن دارای swing کوچکی خواهد بود، به عبارت دیگر swing خروجی 15mv است در حالی که swing ورودی 25mv خواهد بود.
تا کنون راهکارهای متفاوتی برای کوچکتر کردن مقیاس MOSFETها ارائه شده است. از طرفی روشهای ساخت گوناگونی برای CMOS نیز ارائه شده است تا بتوان مقیاس ساخت را به حدود نانومتر نزدیک کرد که تا اندازه 10nm گزارش شده است. اما مشکلات گوناگونی برای این عمل وجود دارد از جمله 1ـ محدودیتهای الکترواستاتیک 2ـ تونلینگ سورس به درین 3ـ حرکت ناتلسا 4ـ جریان استاتیک. بنابراین این احتمال را باید مدنظر قرار داد که در آینده نزدیک خواص اصلی CMOSها را با ابزارهای جدید مثل ترانزیستورهای تک الکترونی به صورت مشترک به کار برد. امروزه ترانزیستورهای تک الکترون به دلیل خواص ویژه آنها که شامل اندازه آنها در مقیاس نانو، توان مصرفی بسیار پایین، رفتار منحصر بفرد نوسان ممنوعه کولب و سازگاری روشهای ساخت آن با CMOS، به شدت مورد توجه قرار گرفتهاند. اما با توجه به همه مزایای نام برده شده بالا به نظر نمیرسد که در آینده نزدیک شاهد جایگزین شدن SET به جای CMOS باشیم البته دلایل این موضوع را میتوان چنین بیان کرد: اثرات بار زمینه (اولیه)، جریان خروجی بسیار کم، جریان ؟؟؟ حرارتی بالا که به دلیل کم بودن انرژی باردار شدن خازن جزیره در تکنولوژی حاضر میباشد. آشکار است که CMOS و SET مکمل یکدیگرند. به عنوان مثال SETها توان مصرفی پایینی دارند و دارای خاصیت ویژه نوسان Columb Blockade میباشند، در حالی که CMOSها دارای سرعت بالا و بهره ولتاژ بالا میباشند که میتوانند مشکلات SET را حل کنند. بنابراین اگرچه جایگزین کردن SET به جای CMOS در آینده نزدیک محتمل نیست اما با استفاده از بکار بردن خواص هر دو به صورت همزمان میتوان کاربردهایی را به دست آورد که به تنهایی با
4
CMOS بسیار دشوار است.
2ـ اتصالات درونی و منطق چند متواری:
نه تنها محدودیتهای پایهای SNOSFET در مقیاس نانو پیشرفت آنرا تهدید میکند بلکه محدودیتهای اتصالات درونی و کوچکتر شدن آنها در مقیاس نانو نیز از مشکلات اساسی است. این کوچک شدن مقیاس اتصالات درونی برخلاف کوچک شدن ترانزیستورها باعث کاهش کارایی سیستم میشود. کوچک شدن این مقیاس تاحد نانو باعث بروز چالشهای جدی خواهد شد از جمله: مشکلات مقاومتی، فرایندهای پیچیده کنترل، قابلیت اطمینان یک راه برای حل این مشکل این است که اتصالات درونی را با مقیاس بزرگتر ایجاد کنیم. با این کار کارایی اتصالات درونی زیاد میشود اما چگالی سیمکشی بالا میرود. از طرفی با بزرگتر شدن chip تعداد ماژولهای محلی به نسبت L2 رشد میکنند که L طول لبه تراشه است و تعداد اتصالات درونی در یک شبکه متصل با نرخ L2! رشد میکند، با این استراتژی هزینه ساخت بالا خواهد رفت که خود موضوع مهمی است.
یک راه برای غلبه بر این مشکل استفاده از منطق چند مقداری است پس اتصالات درونی است. در منطق چند مقداری، سه مقداری یا چهار مقداری و... هر خط میتواند اطلاعات بیشتری را تأمین کند و بنابراین تعداد اتصالات درونی و Pinoots را میتوان کاهش داد. به عنوان مثال در منطق چهار مقداری میتوان تا 50% کاهش در اتصالات درونی را نسبت به حالت باینری ایجاد کرد.
مد نیست راهکار استفاده از منطق چند مقداری بستگی به ابزار مورد نیاز و مناسب برای عملکرد صحیح منطق چند مقداری دارد. پیادهسازی این منطق روی وینورهای سیکیکونی با استفاده از تکنولوژی CMOS دو حالت دارد: حالت ولتاژ و حالت جریان در حالت ولتاژ با مشکل ولتاژهای آستانه متفاوت روی یک و بند روبهرو هستیم و برای حالت جریان با مشکل معرف توان بالا و مشکلات آزمایش مدار روبهرو هستیم.
پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.
پاورپوینت شهرها و شهرکهای جدید
| دسته بندی | معماری |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 901 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 201 |
فهرست مطالب:
پیدایش و سیر تحول شهرهای جدید
شهرهای جدید
کشورها
تحولات شهر و شهرنشینی در ایران
برنامه ریزی شهرهای جدید
الگوی طبقه بندی شهرهای جدید در ایران
پاورپوینت تحلیل SWOT
| دسته بندی | علوم انسانی |
| فرمت فایل | ppt |
| حجم فایل | 604 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 35 |
فهرست مطالب:
تحلیل SWOT چیست؟
هدف تحلیل SWOT چیست؟
چه کسی به تحلیل SWOT نیاز دارد؟
نحوه انجام تحلیل SWOT
مزایا و معایب تحلیل SWOT
چاره اندیشی گروهی و اولویت گذاری در تحلیل SWOT
نکات و تمرین ها
نرم افزارآموزش کامل وآسان عربی
| دسته بندی | آموزشی |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 10398 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 1 |
ویژه همه دانش آموزان ودانشجویان
نرم افزار آموزش کامل وآسان عربی دارای بخش های مختلف می باشد ازجمله:آموزش فعل های ماضی ومضارع بصورت تعاملی-انواع اسم هادرعربی( اسم فاعل ومفعول ومنقوص و...)-انواع معرفه ها-صیغه های مختلف افعال-انواع جمله (جمله اسمیه وفعلیه وشرطی و...)-انواع حروف(جر-ناصبه-شرط و...)صفت ومضاف الیه-منادی- تجزیه وترکیب -انواع ضمایر-معرب ومبنی و....بصورت کامل آماده شده ویادگیری عربی رابرای همه دانش آموزان به آسانی امکان پذیر می کند